Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры. Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы

Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств. Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов: с использованием резистивно-емкостного делителя; с использованием моста. Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности. Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера (ток через переход эмиттер-база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэффициента передачи тока (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току)

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные низкочастотные транзисторы малой и средней мощности и устанавливает метод измерения выходной проводимости (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой)

Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы определения предельной и граничной частот коэффициента передачи тока