1 |
ГОСТ 2.730-73 |
Единая система конструкторской документации. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые |
01.07.1974 |
действующий |
| Англ. название: Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices Область применения: Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности Нормативные ссылки: ГОСТ 2.730-68ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицыСТ СЭВ 661-88ГОСТ 2.721-74 |
2 |
ГОСТ 4.137-85 |
Система показателей качества продукции. Приборы полупроводниковые силовые. Номенклатура показателей |
01.01.1987 |
действующий |
| Англ. название: Product-quality index system. Power semiconductor devices. Nomenclature of indices Область применения: Стандарт устанавливает номенклатуру показателей качества силовых полупроводниковых приборов, включаемых в стандарты с перспективными требованиями, технические задания на опытно-конструкторские работы (ТЗ на ОКР), технические условия (ТУ), карты технического уровня и качества продукции (КУ), разрабатываемые и пересматриваемые стандарты на продукцию Нормативные ссылки: ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 20859.1-79;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 23900-79;ГОСТ 27002-83;СТ СЭВ 1125-78 |
3 |
ГОСТ 11630-84 |
Приборы полупроводниковые. Общие технические условия |
01.07.1985 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor devices. General specification Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы, излучающие диоды и оптопары производственно-технического назначения и народного потребления, изготовляемые для народного хозяйства и экспорта Нормативные ссылки: ГОСТ 11630-70СТ СЭВ 3992-83;СТ СЭВ 300-76 |
4 |
ГОСТ 15133-77 |
Приборы полупроводниковые. Термины и определения |
01.07.1978 |
утратил силу в РФ |
| Англ. название: Semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности Нормативные ссылки: ГОСТ 15133-69СТ СЭВ 2767-85ГОСТ Р 57436-2017ГОСТ 21934-83;ГОСТ 25066-81 |
5 |
ГОСТ 17704-72 |
Приборы полупроводниковые. Приемники лучистой энергии фотоэлектрические. Классификация и система обозначений |
01.07.1973 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor devices. Photoelectric receivers of radiant energy. Classification and system designations Область применения: Настоящий стандарт распространяется на неохлаждаемые и охлаждаемые фотоэлектрические полупроводниковые приемники лучистой энергии и устанавливает классификацию и систему единого обозначения фоторезисторов, фотомагнитных приемников, фотоприемников с p-n переходами с внутренним усилением и без внутреннего усиления |
6 |
ГОСТ 17772-88 |
Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик |
01.07.1989 |
утратил силу в РФ |
| Англ. название: Semiconducting photoelectric detectors and receiving photoelectric devices. Methods of measuring photoelectric parameters and determining characteristics Область применения: Настоящий стандарт распространяется на фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения (ФЭПП) и фотоприемные устройства (ФПУ) на их основе, чувствительные к излучению в диапазоне длин волн от 0,2 до 100 мкм. Стандарт не распространяется на ФЭПП и ФПУ, подлежащие аттестации в качестве средств измерений. Стандарт устанавливает методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик Нормативные ссылки: ГОСТ 17772-79СТ СЭВ 3789-82ГОСТ Р 59607-2021ГОСТ 8.001-80;ГОСТ 8.023-86;ГОСТ 8.186-83;ГОСТ 8.198-85;ГОСТ 8.207-76;ГОСТ 8.326-78;ГОСТ 8.383-80;ГОСТ 8.513-84;ГОСТ 12.0.004-79;ГОСТ 12.1.019-79;ГОСТ 12.1.030-81;ГОСТ 12.1.031-81;ГОСТ 12.2.007.0-75;ГОСТ 12.2.007.1-75;ГОСТ 12.2.007.2-75;ГОСТ 12.2.007.3-75;ГОСТ 12.2.007.4-75;ГОСТ 12.2.007.5-75;ГОСТ 12.2.007.6-75;ГОСТ 12.2.007.7-75;ГОСТ 12.2.007.8-75;ГОСТ 12.2.007.9-75;ГОСТ 12.2.007.10-75;ГОСТ 12.2.007.11-75;ГОСТ 12.2.007.12-75;ГОСТ 12.2.007.13-75;ГОСТ 12.2.007.14-75;ГОСТ 12.2.032-78;ГОСТ 12.2.033-78;ГОСТ 12.3.002-75;ГОСТ 12.4.013-85;ГОСТ 3044-84;ГОСТ 3789-82;ГОСТ 9293-74;ГОСТ 17616-82;ГОСТ 18986.4-73 |
7 |
ГОСТ 18472-88 |
Приборы полупроводниковые. Основные размеры |
01.07.1989 |
утратил силу в РФ |
| Англ. название: Semiconductor devices. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры. Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы Нормативные ссылки: ГОСТ 18472-82СТ СЭВ 1818-86ГОСТ Р 57439-2017IEC 60191-1(1966);IEC 60191-2(1966) |
8 |
ГОСТ 18577-80 |
Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения |
01.07.1981 |
действующий |
| Англ. название: Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств. Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 18577-73 |
9 |
ГОСТ 18986.15-75 |
Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации |
01.01.1977 |
действующий |
| Англ. название: Reference diodes. Method of measuring stabilization voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения напряжения стабилизации Нормативные ссылки: ГОСТ 14093-68СТ СЭВ 3200-81IEC 60147-2M;ГОСТ 8.401-80;ГОСТ 18986.0-74 |
10 |
ГОСТ 18986.17-73 |
Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации |
01.07.1974 |
действующий |
| Англ. название: Reference diodes. Method of measuring of temperature coefficient of working voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации Нормативные ссылки: СТ СЭВ 3200-81IEC 60147-2M;ГОСТ 18986.0-74 |
11 |
ГОСТ 18986.20-77 |
Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим |
01.01.1979 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor diodes. Reference zener diodes. Method for measuring warm up time Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые прецизионные стабилитроны, имеющие нормированную временную нестабильность напряжения стабилизации и устанавливает метод измерения времени выхода стабилитронов на режим tвых. и требования безопасности Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
12 |
ГОСТ 18986.21-78 |
Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации |
01.01.1980 |
действующий |
| Англ. название: Reference diodes and stabistors. Method for measuring time drift of working voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и стабисторы и устанавливает метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
13 |
ГОСТ 18986.22-78 |
Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения дифференциального сопротивления |
01.01.1980 |
действующий |
| Англ. название: Reference diodes. Methods for measuring differential resistance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения дифференциального сопротивления: на переменном токе; на постоянном токе Нормативные ссылки: ГОСТ 15603-70СТ СЭВ 3200-81IEC 60147-2M;ГОСТ 18986.0-74 |
14 |
ГОСТ 18986.23-80 |
Стабилитроны полупроводниковые. Методы измерения спектральной плотности шума |
01.01.1982 |
действующий |
| Англ. название: Zener diodes. Methods for measuring spectral noise density Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые стабилитроны и устанавливает два метода измерения спектральной плотности шума: метод 1 применяют при измерении спектральной плотности шума стабилитронов с установленной полосой частот измерения в диапазоне 5 Гц - 30 МГц; метод 2 применяют при измерении спектральной плотности шума прецизионных стабилитронов с установленной полосой частот измерения в диапазоне 0,01-5 Гц Нормативные ссылки: ГОСТ 18986.0-74 |
15 |
ГОСТ 20859.1-89 |
Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования |
01.01.1990 |
действующий |
| Англ. название: Power semiconductor devices. General technical requirements Область применения: Настоящий стандарт распространяется на силовые полупроводниковые приборы общего назначения - диоды, триодные тиристоры, биполярные (в том числе составные) транзисторы, полевые транзисторы и модули всех видов на максимально допустимые средние, действующие, импульсные или постоянные токи 10 А и более, предназначенные для применения в полупроводниковых преобразователях электроэнергии, а также в других цепях постоянного и переменного тока различных силовых электротехнических установок. Настоящий стандарт не распространяется на приборы и модули, работающие: 1) в средах с токопроводящей пылью; 2) в агрессивных средах при концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию в недопустимых пределах в течение срока службы; 3) во взрывоопасной среде; 4) в условиях воздействия различных повреждающих приборы и модули излучений Нормативные ссылки: ГОСТ 20859.1-79ГОСТ 30617-98 в части модулейСТ СЭВ 1135-88IEC 60747-1(1983);IEC 60747-2(1983);IEC 60747-6(1983);IEC 60147-IJ(1981);ГОСТ 2.601-68;ГОСТ 20.57.406-81;ГОСТ 8032-84;ГОСТ 15133-77;ГОСТ 15150-69;ГОСТ 15543-70;ГОСТ 17516-72;ГОСТ 18242-72;ГОСТ 20003-74;ГОСТ 20332-84;ГОСТ 23216-78;ГОСТ 23900-87;ГОСТ 24461-80;ГОСТ 24566-86;ГОСТ 25529-82;ГОСТ 27264-87;ГОСТ 27591-88 |